Iris Xe MAX Graphics vs T500 Mobile
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มมือถือ 4GB VRAM Iris Xe MAX Graphics และ 2GB VRAM T500 Mobile เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
Iris Xe MAX Graphics ข้อดีของ
VRAM เพิ่มเติม (4GB vs 2GB)
T500 Mobile ข้อดีของ
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 3% (1695MHz vs 1650MHz)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (80.00GB/s vs 68.26GB/s)
128 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
TDP ต่ำกว่า (18W vs 25W)
คะแนน
เบนช์มาร์ค
FP32 (float)
Iris Xe MAX Graphics
2534
T500 Mobile
+19%
3037
การ์ดกราฟิก
ต.ค. 2563
วันที่เปิดตัว
ธ.ค. 2563
HD Graphics-M
รุ่น
Quadro Mobile
อุปกรณ์เคลื่อนที่
ชนิด
อุปกรณ์เคลื่อนที่
PCIe 4.0 x8
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 3.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
300 MHz
นาฬิกาฐาน
1365 MHz
1650 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1695 MHz
2133 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1250 MHz
หน่วยความจำ
4GB
ขนาดหน่วยความจำ
2GB
LPDDR4X
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
128bit
บัสหน่วยความจำ
64bit
68.26GB/s
แบนด์วิดท์
80.00GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
-
จำนวน SM
14
768
หน่วยการตีสี
896
48
TMUs
56
24
ROPs
32
-
แคช L1
64 KB (per SM)
1024 KB
แคช L2
1024 KB
16 MB
แคช L3
-
ประสิทธิภาพทฤษฎี
39.60 GPixel/s
อัตราพิกเซล
54.24 GPixel/s
79.20 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
94.92 GTexel/s
5.069 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
6.075 TFLOPS
2.534 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
3.037 TFLOPS
633.6 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
94.92 GFLOPS
การออกแบบบอร์ด
25W
TDP
18W
No outputs
ออก
No outputs
-
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None
ตัวประมวลผลกราฟิก
DG1
ชื่อ GPU
TU117
Generation 12.1
สถาปัตยกรรม
Turing
Intel
โรงหล่อ
TSMC
10 nm
ขนาดกระบวนการ
12 nm
ไม่ทราบ
ทรานซิสเตอร์
47 ล้าน
95 mm²
ขนาด Die
200 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 (12_1)
DirectX
12 (12_1)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
-
CUDA
7.5
6.4
โมเดลเฉด
6.6
