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手機平板SoC比較
HiSilicon Kirin 990 4G vs Samsung Exynos 850
HiSilicon Kirin 990 4G vs Samsung Exynos 850
VS
HiSilicon Kirin 990 4G
Samsung Exynos 850
我们比较了两个版本的手机 SoC:8 核心 2860MHz HiSilicon Kirin 990 4G 与 8 核心 2000MHz Samsung Exynos 850。您将了解哪款处理器在性能测试、关键规格、功耗等方面表现更优。
主要差異
HiSilicon Kirin 990 4G 的優勢
更好的显卡性能 FLOPS (0.6912 TFLOPS vs 0.0394 TFLOPS )
更高的主頻 (2860MHz vs 2000MHz)
更现代的制程技术 (7nm vs 8nm)
Samsung Exynos 850 的優勢
更低的TDP功耗 (3W vs 6W)
發布時間晚 7 個月
評分
基準測試
AnTuTu 10
HiSilicon Kirin 990 4G
+252%
695853
Samsung Exynos 850
197221
Geekbench 6 單核
HiSilicon Kirin 990 4G
+343%
990
Samsung Exynos 850
223
Geekbench 6 多核
HiSilicon Kirin 990 4G
+264%
3179
Samsung Exynos 850
871
FP32浮點性能
HiSilicon Kirin 990 4G
+1671%
691
Samsung Exynos 850
39
HiSilicon Kirin 990 4G
VS
Samsung Exynos 850
處理器
2x 2.86 GHz – Cortex-A76
2x 2.09 GHz – Cortex-A76
4x 1.86 GHz – Cortex-A55
架構
8x 2 GHz – Cortex-A55
2860 MHz
主頻
2000 MHz
8
核心數
8
2 MB
2级缓存
-
7 nm
製程
8 nm
8
晶體管數
-
6 W
TDP
3 W
TSMC
製造廠
Samsung
圖形
Mali-G76 MP16
GPU 名稱
Mali-G52 MP1
600 MHz
GPU 頻率
820 MHz
16
執行單元
1
36
Shading units
24
12
最大容量
8
0.6912 TFLOPS
FLOPS
0.0394 TFLOPS
1.3
Vulkan 版本
1.3
2.0
OpenCL 版本
2.0
12
DirectX 版本
12
內存
LPDDR4X
記憶體類型
LPDDR4X
2133 MHz
內存頻率
1866 MHz
4x 16 Bit
總線
2x 16 Bit
34.1 Gbit/s
最大帶寬
-
AI
Da Vinci
NPU
No
多媒体
Da Vinci
神經處理器 (NPU)
No
UFS 2.1, UFS 3.0
存儲類型
eMMC 5.1
3360 x 1440
最大顯示分辨率
2520 x 1080
-
最大相機分辨率
1x 48MP, 2x 16MP
4K at 60FPS
錄影
1K at 60FPS
4K at 60FPS
視頻播放
1080p at 60FPS
H.264, H.265, VC-1
視頻編解碼器
H.264, H.265, VP8, VP9
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音頻編解碼器
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
Balong 765
Modem
-
連接性
LTE Cat. 19
4G支援
LTE Cat. 13
No
5G支援
No
Up to 1400 Mbps
下載速度
Up to 300 Mbps
Up to 200 Mbps
上傳速度
Up to 150 Mbps
6
Wi-Fi
5
5.0
藍牙
5.0
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo
Navigation
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo
其他信息
2019年10月
發佈日期
2020年5月
Flagship
類
Low end
-
型號
S5E3830
HiSilicon Kirin 990 4G
官方網頁
Samsung Exynos 850
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