Inicio Comparación Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i9 13900HX

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i9 13900HX

Hemos comparado dos CPU portátil 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus con 24 núcleos 2.2GHz Intel Core i9 13900HX. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de
Lanzado 1 años y 3 meses tarde
Mejor rendimiento de tarjeta gráfica
Mayor especificación de memoria (8448 frente a 5600)
Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 89.6GB/s)
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.2GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 36MB)
Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 10nm)
Menor TDP (23W vs 55W)
Intel Core i9 13900HX Ventajas de
Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core i9 13900HX +39%
2069
Cinebench R23 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core i9 13900HX +147%
29473
Geekbench 6 Núcleo Individual
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core i9 13900HX +20%
2826
Geekbench 6 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Intel Core i9 13900HX +29%
16799
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Intel Core i9 13900HX +5%
115
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Intel Core i9 13900HX +97%
1672
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
360
Intel Core i9 13900HX +33%
482
Passmark CPU Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core i9 13900HX +29%
4154
Passmark CPU Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core i9 13900HX +105%
44610
VS

Parámetros generales

abr 2024
Fecha lanzamiento
ene 2023
Qualcomm
Fabricante
Intel
Portátil
Tipo
Portátil
ARMv9
Conjunto instrucciones
x86-64
Snapdragon X
Arquitectura núcleo
Raptor Lake
X1P-64-100
Núm. procesador
i9-13900HX
Custom
Zócalo
BGA-1964
No
Gráficos integrados
No
Oryon
Generación
-

Paquete

4 nm
Proceso Fabricación
10 nm
23 W
Consumo Energía
45 W
80 W
Máx. Consumo Turbo
157 W
Temp. Máxima
100°C
Samsung TSMC
Fundición
-
mm²
Tamaño del Die
-

Rendimiento CPU

10
Núcleos de rendimiento
8
10
Núcleos Rendimiento
16
3.4 GHz
Frec. Base Rendimiento
2.2 GHz
3.4 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
5.4 GHz
-
Núcleos Eficientes
16
-
Hilos Eficientes
16
-
Frec. Base Eficiente
1.6 GHz
-
Frec. Turbo Eficiente
3.9 GHz
10
Total Núcleos
24
10
Total Hilos
32
100 MHz
Frec. Bus
100 MHz
34x
Multiplicador
22x
-
Caché L1
80 K per core
-
Caché L2
2 MB per core
42 MB
Caché L3
36 MB shared
No
Multip. Desbloqueado
1
SMP
-

Parámetros memoria

LPDDR5X-8448
Tipos de memoria
DDR5-5600, DDR4-3200
64 GB
Tamaño máx. memoria
192 GB
8
Canales máx. memoria
2
135 GB/s
Ancho de banda máx.
89.6 GB/s
No
Soporte memoria ECC

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
500 MHz
Frecuencia base GPU
300 MHz
1200 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1650 MHz
1536
Unidades shader
256
48
Unidades de textura
16
6
Unidades ROP
8
6
Unidades de ejecución
32
Consumo de energía
45 W
3.8 TFLOPS
Rendimiento gráfico
0.74 TFLOPS

Varios

4.0
Versión PCIe
5.0
Carriles PCIe
20

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