Startseite CPU-Vergleich Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i9 13900HX

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i9 13900HX

Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 10 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus und 24 Kerne 2.2GHz Intel Core i9 13900HX . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Qualcomm Snapdragon X Plus Vorteile
1 Jahre und 3 Monate später veröffentlicht
Höhere Grafikleistung
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 5600
Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 89.6GB/s)
Höhere Basistaktung (3.4GHz gegenüber 2.2GHz)
Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 36MB)
Modernere Fertigungsprozesse (4nm gegenüber 10nm)
Niedriger TDP (23W gegenüber 55W)
Intel Core i9 13900HX Vorteile
Neuere PCIe-Version (5.0 gegenüber 4.0)

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core i9 13900HX +39%
2069
Cinebench R23 Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core i9 13900HX +147%
29473
Geekbench 6 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core i9 13900HX +20%
2826
Geekbench 6 Multi-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Intel Core i9 13900HX +29%
16799
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Intel Core i9 13900HX +5%
115
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Intel Core i9 13900HX +97%
1672
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
360
Intel Core i9 13900HX +33%
482
Passmark CPU Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core i9 13900HX +29%
4154
Passmark CPU Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core i9 13900HX +105%
44610
VS

Grundlegende Parameter

Apr 2024
Veröffentlichungsdatum
Jan 2023
Qualcomm
Hersteller
Intel
Notebook
Typ
Notebook
ARMv9
Befehlssatz
x86-64
Snapdragon X
Kernarchitektur
Raptor Lake
X1P-64-100
Prozessornummer
i9-13900HX
Custom
Sockel
BGA-1964
Qualcomm Adreno X1
Integrierte GPU
UHD Graphics (32EU)
Oryon
Generation
-

Package

4 nm
Herstellungsprozess
10 nm
23 W
Thermal Design Power (TDP)
45-55 W
80 W
Maximale Boost-TDP
157 W
Maximale Betriebstemperatur
100°C
Samsung TSMC
Schmelzerei
-
mm²
Die-Größe
-

CPU-Leistung

10
Performance-Kerne
8
10
Performance-Kern-Threads
16
3.4 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
2.2 GHz
3.4 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
5.4 GHz
-
Energieeffiziente Kerne
16
-
Energieeffiziente Kerne Threads
16
-
Energieeffiziente Basistaktfrequenz
1.6 GHz
-
Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz
3.9 GHz
10
Gesamtzahl der Kerne
24
10
Gesamtzahl der Threads
32
100 MHz
Bus-Frequenz
100 MHz
34x
Multiplikator
22x
-
L1-Cache
80 K per core
-
L2-Cache
2 MB per core
42 MB
L3-Cache
36 MB shared
No
Freigeschalteter Multiplikator
Yes
1
SMP
-

Speicherparameter

LPDDR5X-8448
Speichertypen
DDR5-5600, DDR4-3200
64 GB
Maximale Speichergröße
192 GB
8
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
2
135 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
89.6 GB/s
No
ECC-Unterstützung
Yes

GPU-Parameter

true
Integrierte Grafik
true
500 MHz
GPU-Basistaktung
300 MHz
1200 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
1650 MHz
1536
Shader-Einheiten
256
48
Textur-Mapping-Einheiten
16
6
Raster Operations Pipelines
8
6
Ausführungseinheiten
32
Leistungsaufnahme
45 W
3.8 TFLOPS
GPU-Leistung
0.74 TFLOPS

Sonstiges

4.0
PCIe-Version
5.0
PCIe-Lanes
20

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