TSMCの計画により、2nmプロセス・ノードはゲート・オールラウンド電界効果トランジスタ（GAAFET）を使用する初のノードとなります。製造プロセスは極端紫外線（EUV）リソグラフィに依存し、2025年の量産開始が予定されています。顧客は、2026年にN2プロセスで製造されたチップを初めて受け取ることができます。

Trendforceによると、TSMCは2nmプロセスの量産に向け、EUVリソグラフィの導入を積極的に進めています。今年と来年で60台以上のEUV露光装置が納入される予定であり、設備投資額は4000億台湾元（123億米ドル/894億人民元）を超えます。

ASMLは生産能力の拡大を続けており、EUV露光装置の納入台数は2025年に30%以上増加し、TSMCに利益をもたらす見込みです。ASMLは昨年、顧客の需要に応えるために増産を計画し、EUVリソグラフィ装置の納入台数は今年53台、来年は72台以上になる予定です。ASMLの2025年の生産能力目標には、EUVリソグラフィ装置90台、DUVリソグラフィ装置600台、High-NA EUVリソグラフィ装置20台が含まれます。

EUVリソグラフィの供給は逼迫しており、リードタイムは16カ月から20カ月です。2024年の注文の多くは2025年までに納品されない予定です。TSMCは2024年に30台、2025年に35台のEUV露光装置を発注したと噂されています。ただし、TSMCが設備投資プログラムを調整する可能性があるため、これらの数字は若干変更される可能性があります。さらに、TSMCは今年中に最新のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を受領する予定です。