Gemäß der Vereinbarung von TSMC wird der 2-nm-Prozessknoten der erste sein, der Gate-All-Around-Feldeffekttransistoren (GAAFETs) verwendet. Der Herstellungsprozess basiert weiterhin auf der EUV-Lithografie (Extreme Ultraviolet Lithography) und soll 2025 in die Massenproduktion gehen. Die erste Charge von Chips, die mit dem N2-Verfahren hergestellt wurden, wird voraussichtlich 2026 an die Kunden ausgeliefert.

Laut Trendforce baut TSMC die EUV-Lithografie, die für fortgeschrittene Prozesse entscheidend ist, intensiv aus, um sich auf die Massenproduktion des 2-nm-Prozesses vorzubereiten. In diesem und im nächsten Jahr wird TSMC mehr als 60 EUV-Lithografieanlagen ausliefern, wobei die Investitionen 400 Mrd. NT$ (12,3 Mrd. US$/89,4 Mrd. CNY) übersteigen.

Da ASML seine Produktionskapazitäten weiterhin ausbaut, wird erwartet, dass die Auslieferungen von EUV-Lithografiemaschinen bis 2025 um mehr als 30 % steigen werden, wovon TSMC profitieren wird. Im vergangenen Jahr plante ASML, die Produktion zu erhöhen, um die Kundennachfrage zu erfüllen. Dabei werden erhebliche EUV-Lithografie-Lieferungen erwartet – 53 Einheiten in diesem Jahr, ansteigend auf über 72 Einheiten im nächsten Jahr. Die Zielkapazität von ASML für 2025 umfasst 90 EUV-Lithografiemaschinen, 600 DUV-Lithografiemaschinen und 20 High-NA EUV-Lithografiemaschinen.

Das Angebot an EUV-Lithografieanlagen bleibt knapp, die Vorlaufzeiten liegen zwischen 16 und 20 Monaten, und die meisten Aufträge, die 2024 erteilt werden, werden erst 2025 ausgeliefert. Gerüchten zufolge hat TSMC 30 EUV-Lithografieanlagen für 2024 und 35 für 2025 bestellt. Diese Zahlen könnten sich jedoch leicht ändern, da TSMC sein Investitionsprogramm anpassen könnte. Außerdem wird erwartet, dass TSMC noch in diesem Jahr die neueste High-NA EUV-Lithografieanlage erhält.